SemiHow MOSFET性能特点及技术优势

核心性能优势

• 超结技术提升效率：采用多层外延工艺，相比传统沟槽工艺，EMI（电磁干扰）控制更优，抗冲击能力强，适用于高压高频场景。

• ESD保护与稳定性：70mΩ以上型号内置ESD保护二极管，实测ESD耐受能力可达2400V，显著提升系统抗浪涌和静电可靠性。

• 高频开关性能：电子辐照产品反向恢复时间（trr）控制在200ns以内，开关损耗低，适合高频电源拓扑（如PFC、LLC谐振电路）。

产品应用与市场验证

• 主流客户覆盖：已批量供货三星、华为、LG、飞利浦等国际品牌，应用场景包括充电器、电源适配器、光伏逆变器等。

  
  

技术创新与封装优化

• 无晶圆模式灵活性：专注设计与研发，依托代工资源实现快速迭代，超结MOSFET覆盖600V~900V电压范围，产能达50000片/月。

• 适配国际标准：封装设计遵循IPC标准，兼容国际市场需求，可直接对接全球供应链体系。

对比竞品的差异化亮点

适用场景推荐

1. 消费电子电源：如三星、华为快充充电器，需兼顾效率与EMI合规。

2. 工业驱动：电机控制器、焊接设备中的高频逆变电路。

3. 新能源领域：光伏逆变器、储能系统的DC/DC转换模块。

SemiHow通过聚焦超结技术和可靠性设计，其MOSFET在中高压功率转换场景中具备较强竞争力，尤其适合对成本敏感且要求高效稳定的量产型项目。