稳压二极管，就是指运用pn结反方向穿透情况，其电流量可在非常大范畴内转变而工作电压基础不会改变的状况，做成的起稳压管功效的二极管。 稳压二极管的光电流特点曲线图的顺向特点和一般二极管类似，反方向特点是在反..
2020-09-09肖特基二极管，又被称为肖特基势垒二极管，它属一种功耗、快速半导体元器件。最明显的特性为反向恢复時间非常短（能够小到几纳秒），正指导通压力降仅0.4V上下。其多作为高频率、底压、大电流量整流二极管、续流二极管..
2020-09-02稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和一般二极管类似，反向特性是在反向电压小于反向击穿场强时，反向电阻器非常大，反向泄露电流很小。可是，当反向电压邻近反向电压的临界点时，反向电流量陡然扩大，称之为穿透，在这里..
2020-08-27在半导体领域，台积电、三星这几年在新工艺方面非常激进，相继推出10nm、7nm等先进制程。日前，台积电在官方博客宣布，截止到今年7月，台积电已生产了第10亿颗功能完好、没有缺陷的7nm芯片，是该公司新的里程碑。..
2020-08-21碳化硅二极管是一种适用于功率半导体的革命性材料，其物理属性远远优于硅功率器件。重要特点包含榜样性的电源开关特性、沒有反向恢复电流量、溫度基本上不容易危害电源开关个人行为和规范操作温度范畴为-55℃至175℃..
2020-08-18肖特基二极管是一种快修复二极管，它属一种功耗、快速半导体元器件。其明显的特性为反向恢复時间非常短(能够小到几纳秒)，正指导通压力降仅0.4V上下。肖特基二极管多作为高频率、底压、大电流量整流二极管、续流二极..
2020-08-11VDSS,30VRDS(ON),5.4mΩ(max.)@VGS=10VRDS(ON),8.2mΩ(max.)@VGS=4.5VID,50ANote3PDFN3.3x3.3-8LSG30N04E使用先进的Tren..
2020-08-10碳化硅二极管具有高抗压、低损耗、效率高等特点，高频率高溫，是同样硅元器件抗压的10倍，可以减少系统软件规格和运作成本费。应用SiC元器件会让系统软件成本费降低，特性明显提高，而且因为降低了外场处于被动元器件..
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